Magnetische switch verdubbelt opslaggeheugen in één klap

Japanse onderzoekers hebben een materiaal ontwikkeld dat de opslagcapaciteit van USB-sticks en SD-kaarten gevoelig verhoogt.

USB-sticks en geheugenkaarten voor smartphones, mp3-spelers maar ook digitale camera’s en pda’s maken allemaal gebruik van flashgeheugen. Dat is een vorm van extern, niet-vluchtig geheugen (de data blijft bewaard als de stick of kaart wordt gedemonteerd) die functioneert op basis van de zogenaamde EEPROM-techniek. Snel gezegd komt die techniek erop neer dat er slechts één programmeer-actie nodig is om in verschillende plekken van het geheugen te schrijven of te wissen.

Wetenschappers van de Hokkaido University in Japan hebben die techniek, die elektronische signalen gebruikt om informatie weg te schrijven in binaire taal (nullen en enen), nu uitgebreid met een magnetische component. Die laatste zorgt ervoor dat de informatie zowel in een ‘deel A’ als in een ‘deel B’ van het opslagmedium weggeschreven kan worden. Vermits die delen even groot zijn en niets van doen hebben met de conventionele, elektronische opslag, wordt het opslagvolume dus in één klap verdubbeld.

Voor de magnetische opslag ontwikkelden de vorsers twee lichtjes verschillende vormen van strontium-kobaltoxide – de ene magnetisch, de andere niet. Een stroompje van amper drie volt is genoeg (dat is een zevende van het totale voltage dat een USB-stick opslorpt) om de magnetische vorm te activeren.

De schrijfsnelheid op de magnetische component moet nog wel worden geoptimaliseerd. Die bedraagt nu drie seconden, terwijl dit bij de bestaande opslagmedia een honderdste van een seconde is. (sst)